纳米ATO粉体
纯SnO2理论上属典型绝缘体，但由于存在晶格氧缺位，在禁带内形成Ed＝－0.15eV的施主能级，向导带提供1015～1018cm-3浓度的电子，故SnO2具有n型半导体性质。5价元素如Sb, As或F元素掺杂均能形成浅施主能级，掺杂>1.0%（质量百分数）时，电阻率可达10-1~10-4Ω•cm，所以掺杂SnO2属透明、导电n型半导体材料，导电性质介于传统半导体（如Si, Ge, GaAs）和金属之间。
SnO2为一种具有优异导电性能的金属氧化物复合粉体，可作透明导电膜材料，其制备和应用研究目前在国内外都相当广泛，国外所用的抗静电膜主要是在涂层材料中加入ATO粉。ATO超细导电粉可以广泛应用于抗静电塑料、纤维、涂料、显示器用“三防”涂层材料、红外吸收隔热材料、气敏元件、太阳能电极材料等，极具发展潜力。
技术指标
项目名称
指标
外观
灰蓝色粉末
成分配比
SnO2:
Sb2O3＝90:10
纯度（%）
SnO2+Sb2O3≥99.9
颗粒状态
近似球形
一次粒径（nm）
≤20
比表面积(m2/g)
≥50
堆积密度（g/ml）
0.6～1.0
纳米ATO粉体扫描电镜照片
